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P6功率模塊具有750V及1200V電壓等級，對于750V IGBT模塊，電流等級包括：660A、820A、950A，對于1200V IGBT模塊，電流等級包括：400A、600A，滿(mǎn)足車(chē)用系統高功率密度的需求。模塊采用三相橋電路，內部采用多芯片并聯(lián)設計，具有更高的能量傳輸效率。IGBT模塊采用低電感、高效散熱封裝設計。功率端子采用疊層式封裝，有效降低線(xiàn)路分布電感。模塊采用pinfin水冷散熱基板和平面基板兩種版本，模塊內部采用高熱導率、高可靠性HPS和AMB散熱絕緣基板。模塊內部功率端子采用超聲波焊接工藝技術(shù)，有效提升功率循環(huán)能力。模塊采用標準封裝形式，兼容國內外產(chǎn)品。