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N6 SiC功率模塊為1200V半橋SiC MOSFET功率模塊，模塊導通電阻包含2.9mΩ、2.2mΩ、1.8mΩ等，滿(mǎn)足車(chē)用系統高功率密度的需求。模塊為半橋電路，內部采用多SiC芯片并聯(lián)設計，通過(guò)串聯(lián)門(mén)極電阻保證芯片均流。模塊采用低電感、高效散熱封裝設計，模塊功率回路雜散電感小于6.5nH。模塊采用環(huán)氧注塑封裝工藝，pinfin水冷散熱基板直接水冷散熱，模塊內部采用高熱導率、高可靠性的HPS和AMB散熱絕緣基板。SiC芯片采用雙面銀漿燒結及銅線(xiàn)鍵合連接，優(yōu)先增加模塊使用壽命，模塊通過(guò)175℃ AQG-324可靠性認證，可長(cháng)期工作在175℃結溫環(huán)境。